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刚才发生了什么？ 三星在圣何塞举行的年度技术日会议上公布了其第五代 10 纳米级 (1b) DRAM 以及第八代和第九代垂直 NAND (V-NAND) 技术。 新的 1b DRAM 预计将在 2023 年进入量产阶段，但三星已经在努力克服 10nm 以上的扩展挑战。
它认为，图案、架构和材料方面的颠覆性解决方案将有助于进一步缩小工艺，其中一个前瞻性技术的例子是已经在开发中的 High-K 材料。
十年来，三星一直在迭代其 V-NAND 技术，并且已经发展了几代。 毫无疑问，三星在八代中实现了 10 倍的层数和 15 倍的比特增长，这无疑是值得一试的。
该公司的 1Tb TLC V-NAND 将在今年年底前向客户提供，预计 2024 年量产的第九代 V-NAND 的工作已经开始。到 2030 年，三星预计能够堆叠超过 1,000 个在其 V-NAND 中的层。
自 2017 年以来，三星科技日每年举行一次。今年的会议标志着大流行后亲自出席的回归。 据三星称，超过 800 名客户和合作伙伴参加了在圣何塞希尔顿酒店举行的为期一天的活动。
这家硬件制造商还在加快向四级单元 (QLC) 闪存的过渡，同时提高电源效率。 三星表示，这一进步将特别帮助那些从事人工智能和大数据应用的人。
三星还简要介绍了其 GDDR7 DRAM。 在 36Gbps 时，数据速率是 GDDR6 的两倍，有助于为在不久的将来下线的强大 GPU 提供更多带宽。
三星内存业务负责人 Jung-bae Lee 表示，该公司在过去 40 多年中生产了 1 万亿 GB 的内存。 值得注意的是，仅在过去三年中就生产了大约一半的产能，这突显了随着我们数字化发展的继续而出现的前所未有的需求。
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