华为专利 EUV 光刻工具用于制造

在上下文中： 光刻机是芯片制造中使用的最复杂和最昂贵的机器之一。 它们在紫外光谱中产生稳定的光束并过滤该光，直到它类似于微处理器平面图的倒数。 他们将光聚焦并指向光敏晶圆，精度达到几十纳米，从而绘制出平面图。

华为已经为 EUV 光刻系统中使用的一种组件申请了专利，该系统需要在亚 10 纳米节点上制造高端处理器。 它解决了紫外线产生的干涉图案问题，否则会使晶圆不均匀。

华为解决了芯片制造最后一步由极紫外（EUV）光的微小波长引起的问题。 它的专利描述了一组镜子，这些镜子将光束分成多个子光束，这些子光束与它们自己的微镜发生碰撞。 这些镜子中的每一个都以不同的方式旋转以在光线中产生不同的干涉图案，因此当它们重新组合时，干涉图案相互抵消以产生一束均匀的光束。

光刻机内部反射镜的渲染图。 通过 ASML。

EUV 光刻系统目前由荷兰公司 ASML 独家制造。 EUV 光刻依赖于与旧形式光刻相同的原理，但使用波长约为 13.5 nm 的光，这几乎是 X 射线。 ASML 从直径约 25 微米的快速移动的熔融锡液滴中产生紫外线。

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“当它们下落时，”ASML 解释说，“液滴首先受到低强度激光脉冲的撞击，将它们压平成煎饼形状。然后更强大的激光脉冲蒸发压平的液滴，产生等离子体，发射 EUV 光。产生足够的光来制造微芯片，这个过程每秒重复 50,000 次。”

华为专利中的镜子图。

ASML 需要超过 60 亿欧元和 17 年的时间来开发第一批可以销售的 EUV 光刻机。 但在它们完成之前，美国政府向荷兰政府施压，要求其禁止向中国出口，限制该国使用较旧的 DUV（深紫外线）技术。 目前，只有五家公司正在使用或已宣布计划使用 ASML EUV 光刻系统：美国的英特尔和美光，韩国的三星和 SK 海力士，以及台湾的台积电。

像华为这样的中国公司以前能够将他们的设计发送到像台积电这样的晶圆厂，以使用 EUV 光刻进行制造。 但自从美国对中国实施制裁以来，这种可能性越来越小。 华为需要访问使用 EUV 光刻的高级节点，以继续改进其定制处理器，这些处理器面向从智能手机到数据中心的所有领域。 它在制造自己的 EUV 系统之前还有很长的路要走，但他们正在从政府那里获得大量资金和支持以实现这一目标。

报头来源：Fritzchens Fritz