[ad_1]
Qualcomm 的 Snapdragon 8 Gen 2 SoC 是该公司最新且功能最强大的芯片组。 它已被用于最近一些新的高端智能手机，如 OnePlus 11 5G、iQoo 11 5G 和备受关注的三星 Galaxy S23 系列。 根据最近的泄密事件，即将发布的高通骁龙 8 Gen 3 SoC 的关键规格已经公布。 预计新芯片组将在处理能力、图形功能和能效方面比其前身 Snapdragon 8 Gen 2 有显着改进。
根据一个 泄露 据RGcloudS（@RGcloudS）消息，高通将推出骁龙8 Gen 3芯片组，其CPU布局与骁龙8 Gen 2相同，均为1+4+3配置。 现在，根据一份新报告，该公司正在增加性能核心的数量，同时通过新的 1+5+2 配置牺牲效率核心。
泄密者 Revegnus（@Tech_Reve） 建议 据说 Snapdragon 8 Gen 3 芯片组具有一个运行频率为 3.2 GHz 的 Cortex-X4 内核。 它将有五个以 3.0 GHz 运行的 Cortex-A720 内核和两个以 2.0 GHz 运行的 Cortex-A520 内核。 这更有可能，因为另一个泄漏预测 Snapdragon 8 Gen 3 处理器将需要它可以获得的所有性能内核才能在 Geekbench 的单核和多核测试中达到 1,930/6,236 分。
UFS 4.1 内存、LPDDR5 7,500 MT/s RAM、Adreno 750 GPU 和 Qualcomm X75 5G 调制解调器是 Snapdragon 8 Gen 3 芯片组的其他规格。 根据泄密消息，骁龙 8 第三代将基于台积电的 N4P 工艺节点构建，这意味着三代高通旗舰将锁定在台积电 N5 节点的有效多种变体上。
上面提到的大性能改进可能需要的不仅仅是一个小的节点改进。 Snapdragon 8 Gen 3 是一款 3nm 芯片，预计将在三星或台积电的尖端节点上生产，或者在三星和台积电的尖端节点上生产。
[ad_2]
Source link
